下列哪一项是因为中微子的研究而获得诺贝尔物理学奖的？（）

在一定的温度下，如果增加杂质半导体的掺杂浓度，则少子的浓度将会（）。

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对应于n型半导体，电子为（）

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陷阱中心的存在会增加少子寿命。

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反向截止时，少子漂流形成的漏电流是功耗的一大原因。

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对于漂移晶体管，为提高电流放大系数，可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比，减小基区宽度，提高基区自建电场因子，提高基区少子寿命和迁移率等措施。

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少子在晶体管基区停留的平均时间为τb，但进入基区的少子必须经过一定的延迟时间τdel才能被集电极取走，因此被集电结取走的平均时间就变为τb+τdel（）。

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由于双极型晶体管有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（）的充放电效应。

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场效应管和三极管均有多子和少子两种载流子参与导电；场效应管和晶体管的温度稳定性和抗辐射能力相差不大。

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晶体管里多子和少子均参与导电，而场效应管主要是多子导电。（）

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老龄化形成的主要原因有哪些？

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